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退火对离子注入GaN产生的深能级的影响

我们最近报道了大剂量Al+注入原生GaN后对其光学性质的影响.表明Al+的注入可能产生了某种深能级电子陷阱,由于电子陷阱俘获导带电......

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退火离子注入 GAN 深能级氮化镓光学性质电子陷阱光增强电流谱 PSCS annealing effect deep trap aluminumi

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